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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
7 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF7809AV
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RFQ
1,641
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 13.3A (Ta) 9 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 62nC @ 5V 3780pF @ 16V 4.5V ±12V
IRF7809AVTRPBF
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3,443
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 13.3A (Ta) 9 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 62nC @ 5V 3780pF @ 16V 4.5V ±12V
IRF7809AVTRPBF
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2,962
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 13.3A (Ta) 9 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 62nC @ 5V 3780pF @ 16V 4.5V ±12V
IRF7809AVTRPBF
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RFQ
1,549
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 13.3A (Ta) 9 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 62nC @ 5V 3780pF @ 16V 4.5V ±12V
SIS407ADN-T1-GE3
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2,049
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) P-Channel - 20V 18A (Tc) 9 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 168nC @ 8V 5875pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
SIS407ADN-T1-GE3
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RFQ
752
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) P-Channel - 20V 18A (Tc) 9 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 168nC @ 8V 5875pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
SIS407ADN-T1-GE3
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RFQ
2,637
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) P-Channel - 20V 18A (Tc) 9 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 168nC @ 8V 5875pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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