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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TK40A10N1,S4X
单位
$1.89
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RFQ
3,756
有现货
Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 U-MOSVIII-H Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220SIS 35W (Tc) N-Channel - 100V 40A (Tc) 8.2 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 500µA 49nC @ 10V 3000pF @ 50V 10V ±20V
TK40E10N1,S1X
单位
$1.88
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RFQ
1,761
有现货
Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 100V 90A TO220 U-MOSVIII-H Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 126W (Tc) N-Channel - 100V 90A (Tc) 8.2 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 500µA 49nC @ 10V 3000pF @ 50V 10V ±20V
SUM90N10-8M2P-E3
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RFQ
3,154
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2Pak) 3.75W (Ta), 300W (Tc) N-Channel - 100V 90A (Tc) 8.2 mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 150nC @ 10V 6290pF @ 50V 10V ±20V
SUM90N10-8M2P-E3
单位
$3.76
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RFQ
1,686
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2Pak) 3.75W (Ta), 300W (Tc) N-Channel - 100V 90A (Tc) 8.2 mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 150nC @ 10V 6290pF @ 50V 10V ±20V
SUM90N10-8M2P-E3
单位
$2.04
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RFQ
1,352
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2Pak) 3.75W (Ta), 300W (Tc) N-Channel - 100V 90A (Tc) 8.2 mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 150nC @ 10V 6290pF @ 50V 10V ±20V
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