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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FQD10N20CTM_F080
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RFQ
913
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK QFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 50W (Tc) N-Channel - 200V 7.8A (Tc) 360 mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 26nC @ 10V 510pF @ 25V 10V ±30V
FQU10N20CTU
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK QFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA I-PAK 50W (Tc) N-Channel - 200V 7.8A (Tc) 360 mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 26nC @ 10V 510pF @ 25V 10V ±30V
FQD10N20CTF
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1,805
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK QFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 50W (Tc) N-Channel - 200V 7.8A (Tc) 360 mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 26nC @ 10V 510pF @ 25V 10V ±30V
FQD10N20CTM
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$0.78
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687
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK QFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 50W (Tc) N-Channel - 200V 7.8A (Tc) 360 mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 26nC @ 10V 510pF @ 25V 10V ±30V
FQD10N20CTM
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$0.27
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RFQ
1,067
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK QFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 50W (Tc) N-Channel - 200V 7.8A (Tc) 360 mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 26nC @ 10V 510pF @ 25V 10V ±30V
FQD10N20CTM
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RFQ
3,792
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK QFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 50W (Tc) N-Channel - 200V 7.8A (Tc) 360 mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 26nC @ 10V 510pF @ 25V 10V ±30V
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