晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	供应商设备包	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	EPC2032ENGRT		获得报价	PDF RFQ	964 有现货	EPC	TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE	eGaN®	Discontinued at Digi-Key	Digi-Reel®	GaNFET (Gallium Nitride)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	Die	N-Channel	-	100V	48A (Ta)	4 mOhm @ 30A, 5V	2.5V @ 11mA	15nC @ 5V	1530pF @ 50V	5V	+6V, -4V
	EPC2032ENGRT		获得报价	PDF RFQ	1,506 有现货	EPC	TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE	eGaN®	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	GaNFET (Gallium Nitride)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	Die	N-Channel	-	100V	48A (Ta)	4 mOhm @ 30A, 5V	2.5V @ 11mA	15nC @ 5V	1530pF @ 50V	5V	+6V, -4V
	EPC2032ENGRT		获得报价	PDF RFQ	3,147 有现货	EPC	TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE	eGaN®	Discontinued at Digi-Key	Tape & Reel (TR)	GaNFET (Gallium Nitride)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	Die	N-Channel	-	100V	48A (Ta)	4 mOhm @ 30A, 5V	2.5V @ 11mA	15nC @ 5V	1530pF @ 50V	5V	+6V, -4V
	EPC2032		获得报价	PDF RFQ	2,889 有现货	EPC	TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE	eGaN®	Active	Digi-Reel®	GaNFET (Gallium Nitride)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	Die	N-Channel	-	100V	48A (Ta)	4 mOhm @ 30A, 5V	2.5V @ 11mA	15nC @ 5V	1530pF @ 50V	5V	+6V, -4V
	EPC2032	单位 $6.95	获得报价	PDF RFQ	1,818 有现货	EPC	TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE	eGaN®	Active	Cut Tape (CT)	GaNFET (Gallium Nitride)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	Die	N-Channel	-	100V	48A (Ta)	4 mOhm @ 30A, 5V	2.5V @ 11mA	15nC @ 5V	1530pF @ 50V	5V	+6V, -4V
	EPC2032	单位 $4.18	获得报价	PDF RFQ	2,331 有现货	EPC	TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE	eGaN®	Active	Tape & Reel (TR)	GaNFET (Gallium Nitride)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	Die	N-Channel	-	100V	48A (Ta)	4 mOhm @ 30A, 5V	2.5V @ 11mA	15nC @ 5V	1530pF @ 50V	5V	+6V, -4V

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