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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	62-0095PBF		获得报价	PDF RFQ	2,658 有现货	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	-	-	2W	N-Channel	-	20V	10A (Ta), 12A (Tc)	13.4 mOhm @ 10A, 10V	2.55V @ 250µA	11nC @ 4.5V	900pF @ 10V	10V	-
	IRF7854PBF		获得报价	PDF RFQ	2,493 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO	2.5W (Ta)	N-Channel	-	80V	10A (Ta)	13.4 mOhm @ 10A, 10V	4.9V @ 100µA	41nC @ 10V	1620pF @ 25V	10V	±20V
	IRF7854TRPBF		获得报价	PDF RFQ	2,177 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO	2.5W (Ta)	N-Channel	-	80V	10A (Ta)	13.4 mOhm @ 10A, 10V	4.9V @ 100µA	41nC @ 10V	1620pF @ 25V	10V	±20V
	IRF7854TRPBF	单位 $1.77	获得报价	PDF RFQ	1,627 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC	HEXFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO	2.5W (Ta)	N-Channel	-	80V	10A (Ta)	13.4 mOhm @ 10A, 10V	4.9V @ 100µA	41nC @ 10V	1620pF @ 25V	10V	±20V
	IRF7854TRPBF	单位 $0.68	获得报价	PDF RFQ	2,146 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC	HEXFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO	2.5W (Ta)	N-Channel	-	80V	10A (Ta)	13.4 mOhm @ 10A, 10V	4.9V @ 100µA	41nC @ 10V	1620pF @ 25V	10V	±20V

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