- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,692
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 600mW (Ta) | P-Channel | 20V | 2A (Ta) | 150 mOhm @ 1A, 4.5V | - | 4.6nC @ 4.5V | 270pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,799
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI | U-MOSVI | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 600mW (Ta) | P-Channel | 20V | 2A (Ta) | 150 mOhm @ 1A, 4.5V | - | 4.6nC @ 4.5V | 270pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,993
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI | U-MOSVI | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 600mW (Ta) | P-Channel | 20V | 2A (Ta) | 150 mOhm @ 1A, 4.5V | - | 4.6nC @ 4.5V | 270pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,822
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-UFDFN | 3-DFN1006 (1.0x0.6) | 500mW (Ta) | N-Channel | 12V | 1.41A (Ta) | 150 mOhm @ 1A, 4.5V | 1V @ 250µA | 1.5nC @ 4.5V | 106pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±6V | ||
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获得报价 |
1,335
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-UFDFN | 3-DFN1006 (1.0x0.6) | 500mW (Ta) | N-Channel | 12V | 1.41A (Ta) | 150 mOhm @ 1A, 4.5V | 1V @ 250µA | 1.5nC @ 4.5V | 106pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±6V | ||
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获得报价 |
1,638
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-UFDFN | 3-DFN1006 (1.0x0.6) | 500mW (Ta) | N-Channel | 12V | 1.41A (Ta) | 150 mOhm @ 1A, 4.5V | 1V @ 250µA | 1.5nC @ 4.5V | 106pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±6V |
粤ICP备2022113175号-1