- 制造商 :
- 零件状态 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
- Vgs(最大值) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,709
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 | PowerTrench® | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SuperSOT™-6 | 800mW | N-Channel | - | 30V | 6.3A | 25 mOhm @ 6.3A, 10V | 3V @ 250µA | 13nC @ 10V | 620pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,091
有现货
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EPC | TRANS GAN 350V BUMPED DIE | eGaN® | Active | Digi-Reel® | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die Outline (12-Solder Bar) | - | N-Channel | - | 350V | 6.3A | 65 mOhm @ 6A, 5V | 2.5V @ 1.5mA | 4.3nC @ 5V | 505pF @ 280V | 5V | +6V, -4V | ||
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获得报价 |
3,877
有现货
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EPC | TRANS GAN 350V BUMPED DIE | eGaN® | Active | Cut Tape (CT) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die Outline (12-Solder Bar) | - | N-Channel | - | 350V | 6.3A | 65 mOhm @ 6A, 5V | 2.5V @ 1.5mA | 4.3nC @ 5V | 505pF @ 280V | 5V | +6V, -4V | ||
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获得报价 |
3,464
有现货
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EPC | TRANS GAN 350V BUMPED DIE | eGaN® | Active | Tape & Reel (TR) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die Outline (12-Solder Bar) | - | N-Channel | - | 350V | 6.3A | 65 mOhm @ 6A, 5V | 2.5V @ 1.5mA | 4.3nC @ 5V | 505pF @ 280V | 5V | +6V, -4V |