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供应商设备包 :
功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSP321PL6327HTSA1
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2,399
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223 SIPMOS® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA PG-SOT223-4 1.8W (Ta) P-Channel - 100V 980mA (Tc) 900 mOhm @ 980mA, 10V 4V @ 380µA 12nC @ 10V 319pF @ 25V 10V ±20V
PMR280UN,115
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416 TrenchMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-75, SOT-416 SC-75 530mW (Tc) N-Channel - 20V 980mA (Tc) 340 mOhm @ 200mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.89nC @ 4.5V 45pF @ 20V 1.8V, 4.5V ±8V
PMR280UN,115
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416 TrenchMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-75, SOT-416 SC-75 530mW (Tc) N-Channel - 20V 980mA (Tc) 340 mOhm @ 200mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.89nC @ 4.5V 45pF @ 20V 1.8V, 4.5V ±8V
PMR280UN,115
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1,780
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416 TrenchMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-75, SOT-416 SC-75 530mW (Tc) N-Channel - 20V 980mA (Tc) 340 mOhm @ 200mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.89nC @ 4.5V 45pF @ 20V 1.8V, 4.5V ±8V
BSP321PH6327XTSA1
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223 SIPMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA PG-SOT223-4 1.8W (Ta) P-Channel - 100V 980mA (Tc) 900 mOhm @ 980mA, 10V 4V @ 380µA 12nC @ 10V 319pF @ 25V 10V ±20V
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