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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AOTF4126
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RFQ
654
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V 6A TO220F SDMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220-3F 2.1W (Ta), 42W (Tc) N-Channel 100V 6A (Ta), 27A (Tc) 24 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 42nC @ 10V 2200pF @ 50V 7V, 10V ±25V
TSM300NB06CR RLG
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RFQ
1,188
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 8-PDFN (5x6) 3.1W (Ta), 56W (Tc) N-Channel 60V 6A (Ta), 27A (Tc) 30 mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 18nC @ 10V 1110pF @ 30V 10V ±20V
TSM300NB06CR RLG
单位
$0.72
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RFQ
2,756
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 8-PDFN (5x6) 3.1W (Ta), 56W (Tc) N-Channel 60V 6A (Ta), 27A (Tc) 30 mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 18nC @ 10V 1110pF @ 30V 10V ±20V
TSM300NB06CR RLG
单位
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RFQ
2,819
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 8-PDFN (5x6) 3.1W (Ta), 56W (Tc) N-Channel 60V 6A (Ta), 27A (Tc) 30 mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 18nC @ 10V 1110pF @ 30V 10V ±20V
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