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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SIR106DP-T1-RE3
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RFQ
1,394
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) N-Channel - 100V 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) 8 mOhm @ 15A, 10V 3.4V @ 250µA 64nC @ 10V 3610pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
SIR106DP-T1-RE3
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$1.89
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RFQ
607
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) N-Channel - 100V 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) 8 mOhm @ 15A, 10V 3.4V @ 250µA 64nC @ 10V 3610pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
SIR106DP-T1-RE3
单位
$0.80
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RFQ
1,095
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) N-Channel - 100V 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) 8 mOhm @ 15A, 10V 3.4V @ 250µA 64nC @ 10V 3610pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
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