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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,865
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | DirectFET™ Isometric SB | DIRECTFET SB | 2.4W (Ta), 30W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 5.8A (Ta), 21A (Tc) | 36 mOhm @ 13A, 10V | 5V @ 25µA | 11nC @ 10V | 450pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,569
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | DirectFET™ Isometric SB | DIRECTFET SB | 2.4W (Ta), 30W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 5.8A (Ta), 21A (Tc) | 36 mOhm @ 13A, 10V | 5V @ 25µA | 11nC @ 10V | 450pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,855
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | DirectFET™ Isometric SB | DIRECTFET SB | 2.4W (Ta), 30W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 5.8A (Ta), 21A (Tc) | 36 mOhm @ 13A, 10V | 5V @ 25µA | 11nC @ 10V | 450pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1