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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FDP20AN06A0
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RFQ
3,277
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB PowerTrench® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 90W (Tc) N-Channel - 60V 9A (Ta), 45A (Tc) 20 mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 950pF @ 25V 10V ±20V
FDB20AN06A0
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RFQ
2,178
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB PowerTrench® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263AB 90W (Tc) N-Channel - 60V 9A (Ta), 45A (Tc) 20 mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 950pF @ 25V 10V ±20V
BSB165N15NZ3GXUMA1
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RFQ
2,876
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 78W (Tc) N-Channel - 150V 9A (Ta), 45A (Tc) 16.5 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 110µA 35nC @ 10V 2800pF @ 75V 8V, 10V ±20V
BSB165N15NZ3GXUMA1
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$3.31
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RFQ
2,652
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 78W (Tc) N-Channel - 150V 9A (Ta), 45A (Tc) 16.5 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 110µA 35nC @ 10V 2800pF @ 75V 8V, 10V ±20V
BSB165N15NZ3GXUMA1
单位
$1.47
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RFQ
2,414
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 78W (Tc) N-Channel - 150V 9A (Ta), 45A (Tc) 16.5 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 110µA 35nC @ 10V 2800pF @ 75V 8V, 10V ±20V
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