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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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3,759
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V 175A SP4 - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP4 SP4 694W (Tc) N-Channel 200V 175A (Tc) 12 mOhm @ 87.5A, 10V 5V @ 5mA 224nC @ 10V 13700pF @ 25V 10V ±30V
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RFQ
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V 175A SP4 - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP4 SP4 694W (Tc) N-Channel 200V 175A (Tc) 12 mOhm @ 87.5A, 10V 5V @ 5mA 224nC @ 10V 13700pF @ 25V 10V ±30V
APT20M11JVFR
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$57.00
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 POWER MOS V® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 700W (Tc) N-Channel 200V 175A (Tc) 11 mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 5mA 180nC @ 10V 21600pF @ 25V 10V ±30V
APT20M11JVR
单位
$50.27
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 POWER MOS V® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 700W (Tc) N-Channel 200V 175A (Tc) 11 mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 5mA 180nC @ 10V 21600pF @ 25V 10V ±30V
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IXYS MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) - Surface Mount PLUS-220SMD PLUS-220SMD - N-Channel 75V 175A (Tc) - - - - - -
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IXYS MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) - Through Hole TO-220-3, Short Tab PLUS220 - N-Channel 75V 175A (Tc) - - - - - -
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