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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
3,172
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Renesas Electronics America MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-HVSON (5.4x5.15) 1.5W (Ta) P-Channel 30V 85A (Ta) 5.7 mOhm @ 23A, 4.5V - 153nC @ 10V 6050pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
BXL4001
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RFQ
3,584
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 75V 85A TO-220 - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220(LS) 1.75W (Ta), 75W (Tc) N-Channel 75V 85A (Ta) 12.4 mOhm @ 43A, 10V 4V @ 1mA 115nC @ 10V 6700pF @ 20V 10V ±20V
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RFQ
1,837
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SC-83 4-LDPAK 100W (Tc) N-Channel 60V 85A (Ta) 4.5 mOhm @ 43A, 10V - 85nC @ 10V 4100pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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$0.48
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RFQ
970
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 TrenchMOS™ Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 238W (Ta) N-Channel 100V 85A (Ta) 11.9 mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 118nC @ 10V 7973pF @ 25V 5V, 10V ±20V
2SK3710
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$1.32
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RFQ
1,226
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Sanken MOSFET N-CH 60V TO220S - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220S 100W (Tc) N-Channel 60V 85A (Ta) 6 mOhm @ 35A, 10V 4V @ 1mA - 8400pF @ 10V 10V ±20V
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