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漏极-源极电压(Vdss) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSZ123N08NS3GATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PG-TSDSON-8 2.1W (Ta), 66W (Tc) N-Channel - 80V 10A (Ta), 40A (Tc) 12.3 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 33µA 25nC @ 10V 1700pF @ 40V 6V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PG-TSDSON-8 2.1W (Ta), 66W (Tc) N-Channel - 80V 10A (Ta), 40A (Tc) 12.3 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 33µA 25nC @ 10V 1700pF @ 40V 6V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PG-TSDSON-8 2.1W (Ta), 66W (Tc) N-Channel - 80V 10A (Ta), 40A (Tc) 12.3 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 33µA 25nC @ 10V 1700pF @ 40V 6V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8 2.1W (Ta), 30W (Tc) N-Channel - 30V 10A (Ta), 40A (Tc) 9.1 mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 23nC @ 10V 1700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSZ100N03MSGATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8 2.1W (Ta), 30W (Tc) N-Channel - 30V 10A (Ta), 40A (Tc) 9.1 mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 23nC @ 10V 1700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8 2.1W (Ta), 30W (Tc) N-Channel - 30V 10A (Ta), 40A (Tc) 9.1 mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 23nC @ 10V 1700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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