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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - - 2W N-Channel - 20V 10A (Ta), 12A (Tc) 13.4 mOhm @ 10A, 10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V 900pF @ 10V 10V -
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 10A PQFN HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-PowerVDFN 6-PQFN (2x2) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) N-Channel - 20V 10A (Ta), 12A (Tc) 11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V 1.1V @ 10µA 14nC @ 4.5V 1110pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 10A PQFN HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-PowerVDFN 6-PQFN (2x2) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) N-Channel - 20V 10A (Ta), 12A (Tc) 11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V 1.1V @ 10µA 14nC @ 4.5V 1110pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 TrenchFET® Gen IV Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single 3.5W (Ta), 19W (Tc) N-Channel - 60V 10A (Ta), 12A (Tc) 18.5 mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 13.5nC @ 10V 540pF @ 30V 7.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 TrenchFET® Gen IV Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single 3.5W (Ta), 19W (Tc) N-Channel - 60V 10A (Ta), 12A (Tc) 18.5 mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 13.5nC @ 10V 540pF @ 30V 7.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 TrenchFET® Gen IV Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single 3.5W (Ta), 19W (Tc) N-Channel - 60V 10A (Ta), 12A (Tc) 18.5 mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 13.5nC @ 10V 540pF @ 30V 7.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 10A PQFN HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-PowerVDFN 6-PQFN (2x2) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) N-Channel - 20V 10A (Ta), 12A (Tc) 11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V 1.1V @ 10µA 14nC @ 4.5V 1110pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 10A PQFN HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-PowerVDFN 6-PQFN (2x2) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) N-Channel - 20V 10A (Ta), 12A (Tc) 11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V 1.1V @ 10µA 14nC @ 4.5V 1110pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 10A PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-PowerVDFN 6-PQFN (2x2) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) N-Channel - 20V 10A (Ta), 12A (Tc) 11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V 1.1V @ 10µA 14nC @ 4.5V 1110pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
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