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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSZ013NE2LS5IATMA1
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$0.67
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RFQ
1,634
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 32A 8SON OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8-FL 2.1W (Ta), 69W (Tc) N-Channel - 25V 32A (Ta), 40A (Tc) 1.3 mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 50nC @ 10V 3400pF @ 12V 4.5V, 10V ±16V
FDMC2512SDC
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RFQ
3,614
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN Dual Cool ™ 33 3W (Ta), 66W (Tc) N-Channel - 25V 32A (Ta), 40A (Tc) 2 mOhm @ 27A, 10V 2.5V @ 1mA 68nC @ 10V 4410pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
FDMC2512SDC
单位
$2.97
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RFQ
3,893
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN Dual Cool ™ 33 3W (Ta), 66W (Tc) N-Channel - 25V 32A (Ta), 40A (Tc) 2 mOhm @ 27A, 10V 2.5V @ 1mA 68nC @ 10V 4410pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
FDMC2512SDC
单位
$1.25
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RFQ
3,824
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN Dual Cool ™ 33 3W (Ta), 66W (Tc) N-Channel - 25V 32A (Ta), 40A (Tc) 2 mOhm @ 27A, 10V 2.5V @ 1mA 68nC @ 10V 4410pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
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