- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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获得报价 |
1,880
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 263W (Tc) | N-Channel | 108V | 100A (Tj) | 8.5 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 111nC @ 10V | 5512pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,998
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V SIL3 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 294W (Tc) | N-Channel | 100V | 100A (Tj) | 7.8 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 128nC @ 10V | 7110pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,451
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 263W (Tc) | N-Channel | 100V | 100A (Tj) | 8.5 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 111nC @ 10V | 5512pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,953
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 263W (Tc) | N-Channel | 100V | 100A (Tj) | 8.5 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 111nC @ 10V | 5512pF @ 50V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1