建立全球制造商和供应商可信赖的交易平台。
包装材料 :
供应商设备包 :
功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
Vgs(最大值) :
4 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
APT10M11JVRU2
单位
$24.36
获得报价
RFQ
3,104
有现货
Microsemi Corporation MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227 450W (Tc) N-Channel - 100V 142A (Tc) 11 mOhm @ 71A, 10V 4V @ 2.5mA 300nC @ 10V 8600pF @ 25V 10V ±30V
IRF1607
获得报价
RFQ
1,107
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 380W (Tc) N-Channel - 75V 142A (Tc) 7.5 mOhm @ 85A, 10V 4V @ 250µA 320nC @ 10V 7750pF @ 25V 10V ±20V
APT10M11JVRU3
单位
$30.84
获得报价
RFQ
3,276
有现货
Microsemi Corporation MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227 450W (Tc) N-Channel - 100V 142A (Tc) 11 mOhm @ 71A, 10V 4V @ 2.5mA 300nC @ 10V 8600pF @ 25V 10V ±30V
IRF1607PBF
单位
$3.03
获得报价
RFQ
1,423
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 380W (Tc) N-Channel - 75V 142A (Tc) 7.5 mOhm @ 85A, 10V 4V @ 250µA 320nC @ 10V 7750pF @ 25V 10V ±20V
海量现货 闪电发货 严控渠道 降低成本
商城介绍
新手指南
支付说明
售后服务
全球服务热线
0755-83466209工作时间:9:00~18:00(周一至周六)

售前客服

©深圳市恒森鑫电子有限公司  粤ICP备2022113175号-1

购物车
会员中心
返回顶部