- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,215
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 580A SP6 | POWER MOS 7® | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP6 | 2270W (Tc) | N-Channel | 200V | 580A (Tc) | 3.6 mOhm @ 290A, 10V | 5V @ 15mA | 840nC @ 10V | 43300pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,868
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 200V 580A MODULE | HiPerFET™ | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | Y3-Li | - | N-Channel | 200V | 580A (Tc) | 3.8 mOhm @ 430A, 10V | 4V @ 50mA | 2750nC @ 10V | - | 10V | ±20V |