- 功耗（最大） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
851
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH | HiPerFET™ | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | 695W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 400A (Tc) | 2.5 mOhm @ 200A, 10V | 4.5V @ 8mA | 365nC @ 10V | 23700pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,112
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 75V 400A TO-268 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 1000W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 400A (Tc) | 2.3 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 420nC @ 10V | 24000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
736
有现货
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IXYS | MOSFET 150V 400A TO-264 | HiPerFET™ | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264 | 1250W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 400A (Tc) | 3 mOhm @ 200A, 10V | 4.5V @ 8mA | 365nC @ 10V | 23.7nF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,073
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AD (IXFH) | 1000W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 400A (Tc) | 2.3 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 420nC @ 10V | 24000pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1