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供应商设备包 :
功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
Vgs(th)(最大)@Id :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
6 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TN2540N3-G-P002
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$0.87
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RFQ
3,723
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Microchip Technology MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-92-3 1W (Ta) N-Channel - 400V 175mA (Tj) 12 Ohm @ 500mA, 10V 2V @ 1mA 125pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
TN2540N3-G
单位
$1.07
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RFQ
1,901
有现货
Microchip Technology MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-92-3 1W (Ta) N-Channel - 400V 175mA (Tj) 12 Ohm @ 500mA, 10V 2V @ 1mA 125pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
TP0620N3-G
单位
$1.22
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RFQ
1,631
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Microchip Technology MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-92-3 1W (Ta) P-Channel - 200V 175mA (Tj) 12 Ohm @ 200mA, 10V 2.4V @ 1mA 150pF @ 25V 5V, 10V ±20V
TP2104N3-G-P003
单位
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RFQ
3,357
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Microchip Technology MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-92-3 740mW (Ta) P-Channel - 40V 175mA (Tj) 6 Ohm @ 500mA, 10V 2V @ 1mA 60pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
DN2530N3-G
单位
$0.54
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RFQ
3,043
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Microchip Technology MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-92 (TO-226) 740mW (Ta) N-Channel Depletion Mode 300V 175mA (Tj) 12 Ohm @ 150mA, 0V - 300pF @ 25V 0V ±20V
TP2104N3-G
单位
$0.54
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RFQ
2,655
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Microchip Technology MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-92-3 740mW (Ta) P-Channel - 40V 175mA (Tj) 6 Ohm @ 500mA, 10V 2V @ 1mA 60pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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