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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPL60R210P6AUMA1
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RFQ
2,166
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4VSON CoolMOS™ P6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-PowerTSFN PG-VSON-4 151W (Tc) N-Channel - 600V 19.2A (Tc) 210 mOhm @ 7.6A, 10V 4.5V @ 630µA 37nC @ 10V 1750pF @ 100V 10V ±20V
IPL60R210P6AUMA1
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$2.83
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RFQ
1,524
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4VSON CoolMOS™ P6 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-PowerTSFN PG-VSON-4 151W (Tc) N-Channel - 600V 19.2A (Tc) 210 mOhm @ 7.6A, 10V 4.5V @ 630µA 37nC @ 10V 1750pF @ 100V 10V ±20V
IPL60R210P6AUMA1
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$1.20
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RFQ
1,618
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4VSON CoolMOS™ P6 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-PowerTSFN PG-VSON-4 151W (Tc) N-Channel - 600V 19.2A (Tc) 210 mOhm @ 7.6A, 10V 4.5V @ 630µA 37nC @ 10V 1750pF @ 100V 10V ±20V
SI4483ADY-T1-GE3
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RFQ
2,735
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) P-Channel - 30V 19.2A (Tc) 8.8 mOhm @ 10A, 10V 2.6V @ 250µA 135nC @ 10V 3900pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SI4483ADY-T1-GE3
单位
$1.30
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RFQ
1,908
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) P-Channel - 30V 19.2A (Tc) 8.8 mOhm @ 10A, 10V 2.6V @ 250µA 135nC @ 10V 3900pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SI4483ADY-T1-GE3
单位
$0.50
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RFQ
3,138
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) P-Channel - 30V 19.2A (Tc) 8.8 mOhm @ 10A, 10V 2.6V @ 250µA 135nC @ 10V 3900pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
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