晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SIE836DF-T1-E3		获得报价	PDF RFQ	2,615 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK	TrenchFET®	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	10-PolarPAK® (SH)	10-PolarPAK® (SH)	5.2W (Ta), 104W (Tc)	N-Channel	-	200V	18.3A (Tc)	130 mOhm @ 4.1A, 10V	4.5V @ 250µA	41nC @ 10V	1200pF @ 100V	10V	±30V
	SIE836DF-T1-GE3		获得报价	PDF RFQ	2,444 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK	TrenchFET®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	10-PolarPAK® (SH)	10-PolarPAK® (SH)	5.2W (Ta), 104W (Tc)	N-Channel	-	200V	18.3A (Tc)	130 mOhm @ 4.1A, 10V	4.5V @ 250µA	41nC @ 10V	1200pF @ 100V	10V	±30V
	SIE836DF-T1-GE3		获得报价	PDF RFQ	1,552 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK	TrenchFET®	Obsolete	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	10-PolarPAK® (SH)	10-PolarPAK® (SH)	5.2W (Ta), 104W (Tc)	N-Channel	-	200V	18.3A (Tc)	130 mOhm @ 4.1A, 10V	4.5V @ 250µA	41nC @ 10V	1200pF @ 100V	10V	±30V
	SIE836DF-T1-GE3		获得报价	PDF RFQ	1,650 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK	TrenchFET®	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	10-PolarPAK® (SH)	10-PolarPAK® (SH)	5.2W (Ta), 104W (Tc)	N-Channel	-	200V	18.3A (Tc)	130 mOhm @ 4.1A, 10V	4.5V @ 250µA	41nC @ 10V	1200pF @ 100V	10V	±30V
	SUD19P06-60-E3		获得报价	PDF RFQ	3,763 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252	TrenchFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	2.3W (Ta), 38.5W (Tc)	P-Channel	-	60V	18.3A (Tc)	60 mOhm @ 10A, 10V	3V @ 250µA	40nC @ 10V	1710pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	SUD19P06-60-E3	单位 $1.26	获得报价	PDF RFQ	3,097 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252	TrenchFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	2.3W (Ta), 38.5W (Tc)	P-Channel	-	60V	18.3A (Tc)	60 mOhm @ 10A, 10V	3V @ 250µA	40nC @ 10V	1710pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	SUD19P06-60-E3	单位 $0.49	获得报价	PDF RFQ	3,600 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252	TrenchFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	2.3W (Ta), 38.5W (Tc)	P-Channel	-	60V	18.3A (Tc)	60 mOhm @ 10A, 10V	3V @ 250µA	40nC @ 10V	1710pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	SUD19P06-60-GE3		获得报价	PDF RFQ	1,001 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252	TrenchFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	2.3W (Ta), 38.5W (Tc)	P-Channel	-	60V	18.3A (Tc)	60 mOhm @ 10A, 10V	3V @ 250µA	40nC @ 10V	1710pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	SUD19P06-60-GE3	单位 $1.26	获得报价	PDF RFQ	2,520 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252	TrenchFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	2.3W (Ta), 38.5W (Tc)	P-Channel	-	60V	18.3A (Tc)	60 mOhm @ 10A, 10V	3V @ 250µA	40nC @ 10V	1710pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	SUD19P06-60-GE3	单位 $0.49	获得报价	PDF RFQ	1,995 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252	TrenchFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	2.3W (Ta), 38.5W (Tc)	P-Channel	-	60V	18.3A (Tc)	60 mOhm @ 10A, 10V	3V @ 250µA	40nC @ 10V	1710pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V

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