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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPAW60R280CEXKSA1
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$1.61
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RFQ
2,670
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO220-3 CoolMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220 Full Pack 32W (Tc) N-Channel Super Junction 600V 19.3A (Tc) 280 mOhm @ 6.5A, 10V 3.5V @ 430µA 43nC @ 10V 950pF @ 100V 10V ±20V
SI4048DY-T1-GE3
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RFQ
1,962
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) N-Channel - 30V 19.3A (Tc) 85 mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 51nC @ 10V 2060pF @ 15V 10V ±20V
SI4048DY-T1-GE3
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RFQ
2,289
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) N-Channel - 30V 19.3A (Tc) 85 mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 51nC @ 10V 2060pF @ 15V 10V ±20V
SI4048DY-T1-GE3
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RFQ
3,259
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) N-Channel - 30V 19.3A (Tc) 85 mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 51nC @ 10V 2060pF @ 15V 10V ±20V
SI4162DY-T1-GE3
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RFQ
2,620
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta), 5W (Tc) N-Channel - 30V 19.3A (Tc) 7.9 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI4162DY-T1-GE3
单位
$1.02
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RFQ
2,258
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta), 5W (Tc) N-Channel - 30V 19.3A (Tc) 7.9 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI4162DY-T1-GE3
单位
$0.36
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RFQ
1,879
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta), 5W (Tc) N-Channel - 30V 19.3A (Tc) 7.9 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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