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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXTH150N17T
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RFQ
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IXYS MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 TrenchHV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 (IXTH) 830W (Tc) N-Channel - 175V 150A (Tc) 12 mOhm @ 75A, 10V 5V @ 1mA 155nC @ 10V 9800pF @ 25V 10V ±30V
IXFH150N17T
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RFQ
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IXYS MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 TrenchHV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AD (IXFH) 830W (Tc) N-Channel - 175V 150A (Tc) 12 mOhm @ 75A, 10V 5V @ 3mA 155nC @ 10V 9800pF @ 25V 10V -
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IXYS MOSFET N-CH HiPerFET™, TrenchT2™ Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268 880W (Tc) N-Channel - 175V 150A (Tc) 12 mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 1mA 233nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
IXFH150N17T2
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RFQ
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IXYS MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AD (IXFH) 880W (Tc) N-Channel - 175V 150A (Tc) 12 mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 1mA 233nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
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