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25°C时的电流-连续漏极(Id) :
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6 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
2SK4125-1EX
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RFQ
3,088
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 17A TO3P - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TA) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3L 2.5W (Ta), 170W (Tc) N-Channel 600V 17A (Ta) 610 mOhm @ 7A, 10V 46nC @ 10V 1200pF @ 30V 10V ±30V
2SK4125-1E
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RFQ
2,153
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 17A - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3L 2.5W (Ta), 170W (Tc) N-Channel 600V 17A (Ta) 610 mOhm @ 7A, 10V 46nC @ 10V 1200pF @ 30V 10V ±30V
2SK4124-1E
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RFQ
2,689
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 20A - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3L 2.5W (Ta), 170W (Tc) N-Channel 500V 20A (Ta) 430 mOhm @ 8A, 10V 46.6nC @ 10V 1200pF @ 30V 10V ±30V
2SK4126
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB - Obsolete Tray MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3PB 2.5W (Ta), 170W (Tc) N-Channel 650V 15A (Ta) 720 mOhm @ 6A, 10V 45.4nC @ 10V 1200pF @ 30V 10V ±30V
2SK4125
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RFQ
854
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB - Obsolete Tray MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3PB 2.5W (Ta), 170W (Tc) N-Channel 600V 17A (Ta) 610 mOhm @ 7A, 10V 46nC @ 10V 1200pF @ 30V 10V ±30V
2SK4124
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB - Obsolete Tray MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3PB 2.5W (Ta), 170W (Tc) N-Channel 500V 20A (Ta) 430 mOhm @ 8A, 10V 46.6nC @ 10V 1200pF @ 30V 10V ±30V
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