- 系列 :
- 零件状态 :
- 包装材料 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
- Vgs（最大值） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,716
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220 | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220-3 | 108W (Tc) | N-Channel | 150V | 16.4A (Tc) | 160 mOhm @ 8.2A, 10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | 910pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,825
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 24A TO-3PF | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | SC-94 | TO-3PF | 108W (Tc) | N-Channel | 250V | 24A (Tc) | 70 mOhm @ 12A, 10V | 5V @ 250µA | 110nC @ 10V | 4000pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,399
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 60V 120A ATPAK | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ATPAK | 108W (Tc) | P-Channel | 60V | 120A (Ta) | 6.5 mOhm @ 50A, 10V | 2.6V @ 1mA | 250nC @ 10V | 13000pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,346
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN | AlphaSGT™ | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSMD, Flat Leads | 8-DFN (5x6) | 108W (Tc) | N-Channel | 100V | 48A (Tc) | 7.9 mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 60nC @ 10V | 3130pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,045
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 | - | Active | Tube | SiCFET (Silicon Carbide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 108W (Tc) | N-Channel | 1200V | 14A (Tc) | 364 mOhm @ 4A, 18V | 4V @ 1.4mA | 36nC @ 18V | 667pF @ 800V | 18V | +22V, -6V |
粤ICP备2022113175号-1