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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
606
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 | - | Active | - | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | HiP247™ | 318W (Tc) | N-Channel | 1200V | 65A (Tc) | 69 mOhm @ 40A, 20V | 3V @ 1mA | 122nC @ 20V | 1900pF @ 400V | 20V | +25V, -10V | |||
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获得报价 |
2,581
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 | - | Active | Tube | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | HiP247™ | 318W (Tc) | N-Channel | 1200V | 65A (Tc) | 69 mOhm @ 40A, 20V | 3V @ 1mA | 122nC @ 20V | 1900pF @ 400V | 20V | +25V, -10V |