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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 FL 3W (Ta), 115W (Tc) N-Channel - 40V 33A (Ta), 100A (Tc) 1.4 mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V 6020pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 FL 3W (Ta), 115W (Tc) N-Channel - 40V 33A (Ta), 100A (Tc) 1.4 mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V 6020pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 FL 3W (Ta), 115W (Tc) N-Channel - 40V 33A (Ta), 100A (Tc) 1.4 mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V 6020pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 FL 3W (Ta), 115W (Tc) N-Channel - 30V 39A (Ta), 100A (Tc) 1.1 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 48nC @ 4.5V 6300pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 FL 3W (Ta), 115W (Tc) N-Channel - 30V 39A (Ta), 100A (Tc) 1.1 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 48nC @ 4.5V 6300pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSC011N03LSTATMA1
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Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 FL 3W (Ta), 115W (Tc) N-Channel - 30V 39A (Ta), 100A (Tc) 1.1 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 48nC @ 4.5V 6300pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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