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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 5000W (Tc) N-Channel 1200V 171A (Tc) 80 mOhm @ 85.5A, 10V 5V @ 30mA 1650nC @ 10V 43500pF @ 25V 10V ±30V
APTM100UM45FAG
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 5000W (Tc) N-Channel 1000V 215A (Tc) 52 mOhm @ 107.5A, 10V 5V @ 30mA 1602nC @ 10V 42700pF @ 25V 10V ±30V
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 5000W (Tc) N-Channel 1200V 171A (Tc) 80 mOhm @ 85.5A, 10V 5V @ 30mA 1650nC @ 10V 43500pF @ 25V 10V ±30V
APTM100UM45DAG
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 POWER MOS 7® Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 5000W (Tc) N-Channel 1000V 215A (Tc) 52 mOhm @ 107.5A, 10V 5V @ 30mA 1602nC @ 10V 42700pF @ 25V 10V ±30V
APTM50UM09FAG
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 497A SP6 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 5000W (Tc) N-Channel 500V 497A (Tc) 10 mOhm @ 248.5A, 10V 5V @ 30mA 1200nC @ 10V 63300pF @ 25V 10V ±30V
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