- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
6 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,575
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 | POWER MOS 7® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264 [L] | 565W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 31A (Tc) | 240 mOhm @ 15.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 160nC @ 10V | 4670pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,160
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | POWER MOS 7® | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 Variant | T-MAX™ [B2] | 565W (Tc) | N-Channel | - | 1200V | 18A (Tc) | 670 mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 2.5mA | 150nC @ 10V | 4420pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,918
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP® | 565W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 43A (Tc) | 125 mOhm @ 21.5A, 12V | 4V @ 2.5mA | - | 9000pF @ 25V | 12V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,998
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | POWER MOS 7® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 Variant | T-MAX™ [B2] | 565W (Tc) | N-Channel | - | 1200V | 18A (Tc) | 670 mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 2.5mA | 150nC @ 10V | 4420pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,822
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | POWER MOS 7® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 Variant | T-MAX™ [B2] | 565W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 23A (Tc) | 450 mOhm @ 11.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 154nC @ 10V | 4350pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,527
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX | POWER MOS 7® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 Variant | T-MAX™ [B2] | 565W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 31A (Tc) | 240 mOhm @ 15.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 160nC @ 10V | 4670pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1