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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 DIRECTFET L6 4.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 0.7 mOhm @ 61A, 10V 2.35V @ 150µA 96nC @ 4.5V 6500pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 DIRECTFET L6 4.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 0.7 mOhm @ 61A, 10V 2.35V @ 150µA 96nC @ 4.5V 6500pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 DIRECTFET L6 4.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 0.7 mOhm @ 61A, 10V 2.35V @ 150µA 96nC @ 4.5V 6500pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 DIRECTFET L6 4.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 0.7 mOhm @ 61A, 10V 2.35V @ 150µA 96nC @ 4.5V 6500pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 DIRECTFET L6 4.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 0.7 mOhm @ 61A, 10V 2.35V @ 150µA 96nC @ 4.5V 6500pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 DIRECTFET L6 4.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 0.7 mOhm @ 61A, 10V 2.35V @ 150µA 96nC @ 4.5V 6500pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
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