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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
Vgs(最大值) :
4 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AOT12N40L
单位
$0.53
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RFQ
2,127
有现货
Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 400V 11A TO220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 184W (Tc) N-Channel 400V 11A (Tc) 590 mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 21nC @ 10V 1110pF @ 25V 10V ±30V
R6015KNJTL
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RFQ
809
有现货
Rohm Semiconductor NCH 600V 15A POWER MOSFET - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 184W (Tc) N-Channel 600V 15A (Tc) 290 mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 37.5nC @ 10V 1050pF @ 25V 10V ±20V
R6015KNJTL
单位
$2.67
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RFQ
768
有现货
Rohm Semiconductor NCH 600V 15A POWER MOSFET - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 184W (Tc) N-Channel 600V 15A (Tc) 290 mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 37.5nC @ 10V 1050pF @ 25V 10V ±20V
R6015KNJTL
单位
$1.21
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RFQ
1,944
有现货
Rohm Semiconductor NCH 600V 15A POWER MOSFET - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 184W (Tc) N-Channel 600V 15A (Tc) 290 mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 37.5nC @ 10V 1050pF @ 25V 10V ±20V
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