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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFHM4234TRPBF
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RFQ
1,196
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 20A PQFN FASTIRFET™, HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-TQFN Exposed Pad - 2.8W (Ta), 28W (Tc) N-Channel 25V 20A (Ta) 4.4 mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 25µA 17nC @ 10V 1011pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
IRFHM4234TRPBF
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RFQ
3,167
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 20A PQFN FASTIRFET™, HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-TQFN Exposed Pad - 2.8W (Ta), 28W (Tc) N-Channel 25V 20A (Ta) 4.4 mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 25µA 17nC @ 10V 1011pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
IRFHM4234TRPBF
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RFQ
681
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 20A PQFN FASTIRFET™, HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-TQFN Exposed Pad - 2.8W (Ta), 28W (Tc) N-Channel 25V 20A (Ta) 4.4 mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 25µA 17nC @ 10V 1011pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
SK8603160L
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RFQ
1,219
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Panasonic Electronic Components MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerSMD, Flat Leads HSO8-F4-B 2.8W (Ta), 28W (Tc) N-Channel 30V 22A (Ta), 70A (Tc) 3.3 mOhm @ 17A, 10V 3V @ 3.35mA 22nC @ 4.5V 3920pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SK8603160L
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$1.17
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RFQ
2,549
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Panasonic Electronic Components MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerSMD, Flat Leads HSO8-F4-B 2.8W (Ta), 28W (Tc) N-Channel 30V 22A (Ta), 70A (Tc) 3.3 mOhm @ 17A, 10V 3V @ 3.35mA 22nC @ 4.5V 3920pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SK8603160L
单位
$0.45
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RFQ
1,261
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Panasonic Electronic Components MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerSMD, Flat Leads HSO8-F4-B 2.8W (Ta), 28W (Tc) N-Channel 30V 22A (Ta), 70A (Tc) 3.3 mOhm @ 17A, 10V 3V @ 3.35mA 22nC @ 4.5V 3920pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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