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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
3,289
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GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 650V 15A TO-257 - Obsolete Bulk SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) -55°C ~ 225°C (TJ) Through Hole TO-257-3 TO-257 172W (Tc) - - 650V 15A (Tc) (155°C) 105 mOhm @ 15A - - 1534pF @ 35V - -
BUK7L11-34ARC,127
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3,027
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB TrenchMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 172W (Tc) N-Channel - 34V 75A (Tc) 11 mOhm @ 30A, 10V 3.8V @ 1mA 53nC @ 10V 2506pF @ 25V 10V ±20V
STD170N4F7AG
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RFQ
931
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STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK STripFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 172W (Tc) N-Channel - 40V 80A (Tc) 2.8 mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 4350pF @ 25V 10V ±20V
STD170N4F7AG
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$1.73
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RFQ
3,405
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STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK STripFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 172W (Tc) N-Channel - 40V 80A (Tc) 2.8 mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 4350pF @ 25V 10V ±20V
STD170N4F7AG
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$0.67
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RFQ
1,938
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STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK Automotive, AEC-Q101, STripFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 172W (Tc) N-Channel - 40V 80A (Tc) 2.8 mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 4350pF @ 25V 10V ±20V
PSMN1R2-25YLDX
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2,180
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Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 172W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Body) 25V 100A (Tc) 1.2 mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 60.3nC @ 10V 4327pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
PSMN1R2-25YLDX
单位
$1.11
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RFQ
3,935
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Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 172W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Body) 25V 100A (Tc) 1.2 mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 60.3nC @ 10V 4327pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
PSMN1R2-25YLDX
单位
$0.46
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RFQ
2,036
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Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 172W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Body) 25V 100A (Tc) 1.2 mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 60.3nC @ 10V 4327pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
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