- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,960
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 37.8W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 40A (Tc) | 3 mOhm @ 15A, 10V | 2.4V @ 250µA | 95nC @ 10V | 3512pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,682
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 20A TO220F | aMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3F | 37.8W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 20A (Tc) | 199 mOhm @ 10A, 10V | 4.1V @ 250µA | 19.8nC @ 10V | 1038pF @ 100V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1