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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SPA20N60C3XKSA1		获得报价	PDF RFQ	2,225 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP	CoolMOS™	Discontinued at Digi-Key	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	PG-TO220-FP	34.5W (Tc)	N-Channel	-	650V	20.7A (Tc)	190 mOhm @ 13.1A, 10V	3.9V @ 1mA	114nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	SPA21N50C3XKSA1	单位 $2.15	获得报价	PDF RFQ	3,849 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP	CoolMOS™	Not For New Designs	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	PG-TO220-FP	34.5W (Tc)	N-Channel	-	560V	21A (Tc)	190 mOhm @ 13.1A, 10V	3.9V @ 1mA	95nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	SPA20N65C3XKSA1	单位 $2.99	获得报价	PDF RFQ	1,715 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220	CoolMOS™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	PG-TO220-3	34.5W (Tc)	N-Channel	-	650V	20.7A (Tc)	190 mOhm @ 13.1A, 10V	3.9V @ 1mA	114nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	FDPF8N60ZUT	单位 $2.25	获得报价	PDF RFQ	1,350 有现货	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO-220F-3	UniFET™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220F	34.5W (Tc)	N-Channel	-	600V	6.5A (Tc)	1.35 Ohm @ 3.25A, 10V	5V @ 250µA	26nC @ 10V	1265pF @ 25V	10V	±30V
	SPA20N60C3XKSA1	单位 $4.59	获得报价	PDF RFQ	3,331 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3	CoolMOS™	Not For New Designs	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	PG-TO220-3-31 Full Pack	34.5W (Tc)	N-Channel	-	600V	20.7A (Tc)	190 mOhm @ 13.1A, 10V	3.9V @ 1mA	114nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V

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