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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTGS1135PT1G
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RFQ
3,993
有现货
ON Semiconductor MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 6-TSOP 970mW (Ta) P-Channel 8V 4.6A (Ta) 31 mOhm @ 4.6A, 4.5V 850mV @ 250µA 21nC @ 4.5V 2200pF @ 6V 1.2V, 4.5V ±6V
ZXMN3A01ZTA
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RFQ
1,995
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-243AA SOT-89 970mW (Ta) N-Channel 30V 2.2A (Ta) 120 mOhm @ 2.5A, 10V 1V @ 250µA 5nC @ 10V 186pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
ZXMN3A01ZTA
单位
$0.50
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RFQ
2,401
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-243AA SOT-89 970mW (Ta) N-Channel 30V 2.2A (Ta) 120 mOhm @ 2.5A, 10V 1V @ 250µA 5nC @ 10V 186pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
ZXMN3A01ZTA
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RFQ
1,602
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-243AA SOT-89 970mW (Ta) N-Channel 30V 2.2A (Ta) 120 mOhm @ 2.5A, 10V 1V @ 250µA 5nC @ 10V 186pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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