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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI1317DL-T1-GE3
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2,163
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-70, SOT-323 SOT-323 500mW (Tc) P-Channel - 20V 1.4A (Tc) 150 mOhm @ 1.4A, 4.5V 800mV @ 250µA 6.5nC @ 4.5V 272pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
SI1317DL-T1-GE3
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1,699
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-70, SOT-323 SOT-323 500mW (Tc) P-Channel - 20V 1.4A (Tc) 150 mOhm @ 1.4A, 4.5V 800mV @ 250µA 6.5nC @ 4.5V 272pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
BSR316PH6327XTSA1
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1,891
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 SIPMOS® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PG-SC-59 500mW (Tc) P-Channel - 100V 360mA (Ta) 1.8 Ohm @ 360mA, 10V 1V @ 170µA 7nC @ 10V 165pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
BSR316PH6327XTSA1
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 SIPMOS® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PG-SC-59 500mW (Tc) P-Channel - 100V 360mA (Ta) 1.8 Ohm @ 360mA, 10V 1V @ 170µA 7nC @ 10V 165pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
BSR316PH6327XTSA1
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RFQ
3,418
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 SIPMOS® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PG-SC-59 500mW (Tc) P-Channel - 100V 360mA (Ta) 1.8 Ohm @ 360mA, 10V 1V @ 170µA 7nC @ 10V 165pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SQ7002K-T1-GE3
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3,011
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 500mW (Tc) N-Channel - 60V 320mA (Tc) 1.3 Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 1.4nC @ 4.5V 24pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
BSR92PH6327XTSA1
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3,611
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 SIPMOS® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PG-SC-59 500mW (Tc) P-Channel - 250V 140mA (Ta) 11 Ohm @ 140mA, 10V 1V @ 130µA 4.8nC @ 10V 109pF @ 25V 2.8V, 10V ±20V
BSR92PH6327XTSA1
单位
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2,107
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 SIPMOS® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PG-SC-59 500mW (Tc) P-Channel - 250V 140mA (Ta) 11 Ohm @ 140mA, 10V 1V @ 130µA 4.8nC @ 10V 109pF @ 25V 2.8V, 10V ±20V
BSR92PH6327XTSA1
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RFQ
975
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 SIPMOS® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PG-SC-59 500mW (Tc) P-Channel - 250V 140mA (Ta) 11 Ohm @ 140mA, 10V 1V @ 130µA 4.8nC @ 10V 109pF @ 25V 2.8V, 10V ±20V
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