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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
PHX8NQ11T,127
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A TrenchMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 27.7W (Tc) N-Channel - 110V 7.5A (Tc) 180 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1mA 14.7nC @ 10V 360pF @ 25V 10V ±20V
SIS780DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 27.7W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Body) 30V 18A (Tc) 13.5 mOhm @ 15A, 10V 2.3V @ 250µA 24.5nC @ 10V 722pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIS780DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 27.7W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Body) 30V 18A (Tc) 13.5 mOhm @ 15A, 10V 2.3V @ 250µA 24.5nC @ 10V 722pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIS780DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 27.7W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Body) 30V 18A (Tc) 13.5 mOhm @ 15A, 10V 2.3V @ 250µA 24.5nC @ 10V 722pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIRA58DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 27.7W (Tc) N-Channel - 40V 60A (Tc) 2.65 mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 75nC @ 10V 3750pF @ 20V 4.5V, 10V +20V, -16V
SIRA58DP-T1-GE3
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1,564
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 27.7W (Tc) N-Channel - 40V 60A (Tc) 2.65 mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 75nC @ 10V 3750pF @ 20V 4.5V, 10V +20V, -16V
SIRA58DP-T1-GE3
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3,784
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 27.7W (Tc) N-Channel - 40V 60A (Tc) 2.65 mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 75nC @ 10V 3750pF @ 20V 4.5V, 10V +20V, -16V
SIJA58DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8 TrenchFET® Gen IV Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 27.7W (Tc) N-Channel - 40V 60A (Tc) 2.65 mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 75nC @ 10V 3750pF @ 20V 4.5V, 10V +20V, -16V
SIJA58DP-T1-GE3
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3,640
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8 TrenchFET® Gen IV Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 27.7W (Tc) N-Channel - 40V 60A (Tc) 2.65 mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 75nC @ 10V 3750pF @ 20V 4.5V, 10V +20V, -16V
SIJA58DP-T1-GE3
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1,850
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8 TrenchFET® Gen IV Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 27.7W (Tc) N-Channel - 40V 60A (Tc) 2.65 mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 75nC @ 10V 3750pF @ 20V 4.5V, 10V +20V, -16V
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