- 系列 :
- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
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- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
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4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,924
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PL | TO-3P(L) | 3W (Ta), 50W (Tc) | N-Channel | - | 1500V | 2.5A (Ta) | 10.5 Ohm @ 1.25A, 10V | - | 34nC @ 10V | 650pF @ 30V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,847
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L) | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PL | TO-3P(L) | 250W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 50A (Ta) | 95 mOhm @ 25A, 10V | 3.4V @ 1mA | 280nC @ 10V | 11000pF @ 10V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
655
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L) | DTMOSIV | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PL | TO-3P(L) | 797W (Tc) | N-Channel | Super Junction | 600V | 100A (Ta) | 18 mOhm @ 50A, 10V | 3.7V @ 5mA | 360nC @ 10V | 15000pF @ 30V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
662
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PL | TO-3P(L) | 2.5W (Ta), 140W (Tc) | N-Channel | - | 1500V | 2.5A (Ta) | 10.5 Ohm @ 1.25A, 10V | - | 34nC @ 10V | 650pF @ 30V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1