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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	TK650A60F,S4X	单位 $1.40	获得报价	PDF RFQ	2,278 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-	U-MOSIX	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220SIS	45W (Tc)	N-Channel	-	600V	11A (Ta)	650 mOhm @ 5.5A, 10V	4V @ 1.16mA	34nC @ 10V	1320pF @ 300V	10V	±30V
	TK750A60F,S4X	单位 $1.32	获得报价	PDF RFQ	1,243 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-	U-MOSIX	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220SIS	40W (Tc)	N-Channel	-	600V	10A (Ta)	750 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	30nC @ 10V	1130pF @ 300V	10V	±30V
	TK1K2A60F,S4X	单位 $1.08	获得报价	PDF RFQ	1,337 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-	U-MOSIX	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220SIS	35W (Tc)	N-Channel	-	600V	6A (Ta)	1.2 Ohm @ 3A, 10V	4V @ 630µA	21nC @ 10V	740pF @ 300V	10V	±30V
	TK1K9A60F,S4X	单位 $0.94	获得报价	PDF RFQ	1,319 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-	U-MOSIX	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220SIS	30W (Tc)	N-Channel	-	600V	3.7A (Ta)	1.9 Ohm @ 1.9A, 10V	4V @ 400µA	14nC @ 10V	490pF @ 300V	10V	±30V

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