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功耗(最大) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXFH270N06T3
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3,299
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IXYS 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE HiperFET™, TrenchT3™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 480W (Tc) N-Channel - 60V 270A (Tc) 3.1 mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 200nC @ 10V 12600pF @ 25V 10V ±20V
IXFH220N06T3
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904
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IXYS 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE HiperFET™, TrenchT3™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 440W (Tc) N-Channel - 60V 220A (Tc) 4 mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 136nC @ 10V 8500pF @ 25V 10V ±20V
IXFA270N06T3
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IXYS 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE HiperFET™, TrenchT3™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263AA 480W (Tc) N-Channel - 60V 270A (Tc) 3.1 mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 200nC @ 10V 12600pF @ 25V 10V ±20V
IXFA220N06T3
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IXYS 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE HiperFET™, TrenchT3™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 440W (Tc) N-Channel - 60V 220A (Tc) 4 mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 136nC @ 10V 8500pF @ 25V 10V ±20V
IXFP220N06T3
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IXYS 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE HiperFET™, TrenchT3™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 440W (Tc) N-Channel - 60V 220A (Tc) 4 mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 136nC @ 10V 8500pF @ 25V 10V ±20V
IXFP270N06T3
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IXYS 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE HiperFET™, TrenchT3™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 480W (Tc) N-Channel - 60V 270A (Tc) 3.1 mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 200nC @ 10V 12600pF @ 25V 10V ±20V
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