- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,348
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF | MDmesh™ M5 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3 Full Pack | TO-3PF | 48W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 18A (Tc) | 190 mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 250µA | 36nC @ 10V | 1434pF @ 100V | 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
1,885
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L | MDmesh™ M5 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-4 | TO-247-4L | 190W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 30A (Tc) | 95 mOhm @ 15A, 10V | 5V @ 250µA | 71nC @ 10V | 3000pF @ 100V | 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
2,626
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 84A | MDmesh™ M5 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-4 | TO-247-4L | 450W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 84A (Tc) | 29 mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 250µA | 204nC @ 10V | 8825pF @ 100V | 10V | ±25V |