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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FCPF13N60NT
单位
$4.41
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RFQ
3,558
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 13A TO220F SuperMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F-3 (Y-Forming) 33.8W (Tc) N-Channel - 600V 13A (Tc) 258 mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 39.5nC @ 10V 1765pF @ 100V 10V ±30V
FCH35N60
单位
$6.48
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RFQ
1,851
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 SuperMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 312.5W (Tc) N-Channel - 600V 35A (Tc) 98 mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 250µA 181nC @ 10V 6640pF @ 25V 10V ±30V
FCPF11N60NT
单位
$3.95
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RFQ
3,508
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F SuperMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 32.1W (Tc) N-Channel - 600V 10.8A (Tc) 299 mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 35.6nC @ 10V 1505pF @ 100V 10V ±30V
FCPF9N60NT
单位
$3.34
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RFQ
1,164
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220F SuperMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 29.8W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 385 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 29nC @ 10V 1240pF @ 100V 10V ±30V
FCP9N60N
单位
$3.25
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RFQ
846
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220 SuperMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220-3 83.3W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 385 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 29nC @ 10V 1240pF @ 100V 10V ±30V
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