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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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981
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Cree/Wolfspeed MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE Z-FET™ Obsolete Bulk SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die 202W (Tj) N-Channel - 1200V 28A (Tj) 220 mOhm @ 10A, 20V 4V @ 1mA 47.1nC @ 20V 928pF @ 800V 20V +25V, -5V
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2,348
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Cree/Wolfspeed MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE Z-FET™ Obsolete Bulk SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die 313mW (Tj) N-Channel - 1200V 50A (Tj) 110 mOhm @ 20A, 20V 4V @ 1mA 90.8nC @ 20V 1915pF @ 800V 20V +25V, -5V
CMF20120D
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783
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Cree/Wolfspeed MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3 Z-FET™ Obsolete Tube SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 135°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 215W (Tc) N-Channel - 1200V 42A (Tc) 110 mOhm @ 20A, 20V 4V @ 1mA 90.8nC @ 20V 1915pF @ 800V 20V +25V, -5V
C2M0025120D
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603
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Cree/Wolfspeed MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247 Z-FET™ Active Tube SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 463W (Tc) N-Channel - 1200V 90A (Tc) 34 mOhm @ 50A, 20V 2.4V @ 10mA 161nC @ 20V 2788pF @ 1000V 20V +25V, -10V
C2M0040120D
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$32.24
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3,736
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Cree/Wolfspeed MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 Z-FET™ Active Tube SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 330W (Tc) N-Channel - 1200V 60A (Tc) 52 mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 10mA 115nC @ 20V 1893pF @ 1000V 20V +25V, -10V
C2M0160120D
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2,838
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Cree/Wolfspeed MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 Z-FET™ Active Tube SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 125W (Tc) N-Channel - 1200V 19A (Tc) 196 mOhm @ 10A, 20V 2.5V @ 500µA 32.6nC @ 20V 527pF @ 800V 20V +25V, -10V
C2M0280120D
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$5.13
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2,566
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Cree/Wolfspeed MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 Z-FET™ Active Tube SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 62.5W (Tc) N-Channel - 1200V 10A (Tc) 370 mOhm @ 6A, 20V 2.8V @ 1.25mA (Typ) 20.4nC @ 20V 259pF @ 1000V 20V +25V, -10V
C2M1000170D
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2,972
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Cree/Wolfspeed MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 Z-FET™ Active Tube SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 69W (Tc) N-Channel - 1700V 4.9A (Tc) 1.1 Ohm @ 2A, 20V 2.4V @ 100µA 13nC @ 20V 191pF @ 1000V 20V +25V, -10V
CMF10120D
单位
$15.75
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965
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Cree/Wolfspeed MOSFET N-CH 1200V 24A TO247 Z-FET™ Obsolete Tube SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 135°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 134W (Tc) N-Channel - 1200V 24A (Tc) 220 mOhm @ 10A, 20V 4V @ 500µA 47.1nC @ 20V 928pF @ 800V 20V +25V, -5V
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