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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	TK40P04M1(T6RSS-Q)		获得报价	PDF RFQ	798 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A	U-MOSVI-H	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DP	47W (Tc)	N-Channel	-	40V	40A (Ta)	11 mOhm @ 20A, 10V	2.3V @ 200µA	29nC @ 10V	1920pF @ 10V	4.5V, 10V	±20V
	TK40P03M1(T6RSS-Q)		获得报价	PDF RFQ	2,829 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A	U-MOSVI-H	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DP	-	N-Channel	-	30V	40A (Ta)	10.8 mOhm @ 20A, 10V	2.3V @ 100µA	17.5nC @ 10V	1150pF @ 10V	4.5V, 10V	±20V
	2SK2845(TE16L1,Q)		获得报价	PDF RFQ	3,102 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 900V 1A DP	-	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DP	40W (Tc)	N-Channel	-	900V	1A (Ta)	9 Ohm @ 500mA, 10V	4V @ 1mA	15nC @ 10V	350pF @ 25V	10V	±30V
	TK50P03M1(T6RSS-Q)		获得报价	PDF RFQ	2,916 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3	U-MOSVI-H	Discontinued at Digi-Key	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DP	47W (Tc)	N-Channel	-	30V	50A (Ta)	7.5 mOhm @ 25A, 10V	2.3V @ 200µA	25.3nC @ 10V	1700pF @ 10V	4.5V, 10V	±20V
	TK50P03M1(T6RSS-Q)	单位 $0.99	获得报价	PDF RFQ	767 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3	U-MOSVI-H	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DP	47W (Tc)	N-Channel	-	30V	50A (Ta)	7.5 mOhm @ 25A, 10V	2.3V @ 200µA	25.3nC @ 10V	1700pF @ 10V	4.5V, 10V	±20V
	TK50P03M1(T6RSS-Q)	单位 $0.35	获得报价	PDF RFQ	3,667 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3	U-MOSVI-H	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DP	47W (Tc)	N-Channel	-	30V	50A (Ta)	7.5 mOhm @ 25A, 10V	2.3V @ 200µA	25.3nC @ 10V	1700pF @ 10V	4.5V, 10V	±20V
	TK50P04M1(T6RSS-Q)		获得报价	PDF RFQ	3,942 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3	U-MOSVI-H	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DP	60W (Tc)	N-Channel	-	40V	50A (Ta)	8.7 mOhm @ 25A, 10V	2.3V @ 500µA	38nC @ 10V	2600pF @ 10V	4.5V, 10V	±20V
	TK50P04M1(T6RSS-Q)	单位 $0.92	获得报价	PDF RFQ	770 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3	U-MOSVI-H	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DP	60W (Tc)	N-Channel	-	40V	50A (Ta)	8.7 mOhm @ 25A, 10V	2.3V @ 500µA	38nC @ 10V	2600pF @ 10V	4.5V, 10V	±20V
	TK50P04M1(T6RSS-Q)	单位 $0.37	获得报价	PDF RFQ	2,854 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3	U-MOSVI-H	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DP	60W (Tc)	N-Channel	-	40V	50A (Ta)	8.7 mOhm @ 25A, 10V	2.3V @ 500µA	38nC @ 10V	2600pF @ 10V	4.5V, 10V	±20V

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