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功耗(最大) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
DMN1045UFR4-7
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1,472
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1010-3 500mW (Ta) N-Channel 12V 3.2A (Ta) 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V 1V @ 250µA 4.8nC @ 4.5V 375pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMN1045UFR4-7
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1010-3 500mW (Ta) N-Channel 12V 3.2A (Ta) 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V 1V @ 250µA 4.8nC @ 4.5V 375pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMN1045UFR4-7
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1010-3 500mW (Ta) N-Channel 12V 3.2A (Ta) 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V 1V @ 250µA 4.8nC @ 4.5V 375pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMP1200UFR4-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1010-3 480mW (Ta) P-Channel 12V 2A (Ta) 100 mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 5.8nC @ 4.5V 514pF @ 5V 1.5V, 4.5V ±8V
DMP1200UFR4-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1010-3 480mW (Ta) P-Channel 12V 2A (Ta) 100 mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 5.8nC @ 4.5V 514pF @ 5V 1.5V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1010-3 480mW (Ta) P-Channel 12V 2A (Ta) 100 mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 5.8nC @ 4.5V 514pF @ 5V 1.5V, 4.5V ±8V
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