晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SCT3030KLGC11	单位 $39.79	获得报价	PDF RFQ	1,152 有现货	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N	-	Active	Tube	SiCFET (Silicon Carbide)	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247N	339W (Tc)	N-Channel	1200V	72A (Tc)	39 mOhm @ 27A, 18V	5.6V @ 13.3mA	131nC @ 18V	2222pF @ 800V	18V	+22V, -4V
	SCT3022ALGC11	单位 $37.87	获得报价	PDF RFQ	1,738 有现货	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 650V 93A TO247N	-	Active	Tube	SiCFET (Silicon Carbide)	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247N	339W (Tc)	N-Channel	650V	93A (Tc)	28.6 mOhm @ 36A, 18V	5.6V @ 18.2mA	133nC @ 18V	2208pF @ 500V	18V	+22V, -4V
	SCT3040KLGC11	单位 $23.62	获得报价	PDF RFQ	2,729 有现货	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N	-	Active	Tube	SiCFET (Silicon Carbide)	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247N	262W (Tc)	N-Channel	1200V	55A (Tc)	52 mOhm @ 20A, 18V	5.6V @ 10mA	107nC @ 18V	1337pF @ 800V	18V	+22V, -4V
	SCT3030ALGC11	单位 $22.24	获得报价	PDF RFQ	3,384 有现货	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 650V 70A TO247N	-	Active	Tube	SiCFET (Silicon Carbide)	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247N	262W (Tc)	N-Channel	650V	70A (Tc)	39 mOhm @ 27A, 18V	5.6V @ 13.3mA	104nC @ 18V	1526pF @ 500V	18V	+22V, -4V
	SCT3080KLGC11	单位 $9.81	获得报价	PDF RFQ	2,545 有现货	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N	-	Active	Tube	SiCFET (Silicon Carbide)	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247N	165W (Tc)	N-Channel	1200V	31A (Tc)	104 mOhm @ 10A, 18V	5.6V @ 5mA	60nC @ 18V	785pF @ 800V	18V	+22V, -4V
	SCT3060ALGC11	单位 $9.31	获得报价	PDF RFQ	944 有现货	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 650V 39A TO247N	-	Active	Tube	SiCFET (Silicon Carbide)	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247N	165W (Tc)	N-Channel	650V	39A (Tc)	78 mOhm @ 13A, 18V	5.6V @ 6.67mA	58nC @ 18V	852pF @ 500V	18V	+22V, -4V
	SCT3160KLGC11	单位 $5.55	获得报价	PDF RFQ	1,359 有现货	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N	-	Active	Tube	SiCFET (Silicon Carbide)	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247N	103W (Tc)	N-Channel	1200V	17A (Tc)	208 mOhm @ 5A, 18V	5.6V @ 2.5mA	42nC @ 18V	398pF @ 800V	18V	+22V, -4V
	SCT3120ALGC11	单位 $5.30	获得报价	PDF RFQ	2,963 有现货	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 650V 21A TO247N	-	Active	Tube	SiCFET (Silicon Carbide)	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247N	103W (Tc)	N-Channel	650V	21A (Tc)	156 mOhm @ 6.7A, 18V	5.6V @ 3.33mA	38nC @ 18V	460pF @ 500V	18V	+22V, -4V
	SCT3080ALGC11	单位 $10.73	获得报价	PDF RFQ	3,051 有现货	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 30A TO247	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247N	134W (Tc)	N-Channel	650V	30A (Tc)	104 mOhm @ 10A, 18V	5.6V @ 5mA	48nC @ 18V	571pF @ 500V	18V	+22V, -4V

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